一、去膠工藝是半導體制造過程中的重要環(huán)節(jié)之一，主要分為濕法與干法兩類
根據(jù)觀研報告網(wǎng)發(fā)布的《中國半導體去膠設備行業(yè)發(fā)展深度分析與投資前景預測報告（2025-2032年）》顯示，在半導體制造工藝中，去膠工藝是不可或缺的一環(huán)，是光刻工藝中的最后一步，其直接關系到芯片成品的質(zhì)量與性能。在光刻工藝中，去膠設備主要用于曝光后將光刻膠從晶圓上移除，以此來保證晶圓順利進入下一步制造步驟。
去膠工藝可分為濕法和干法兩類。其中濕法去膠工藝使用溶劑對光刻膠等進行溶解，不適合用于AI、Cu等制程的去膠；干法去膠工藝可視為等離子刻蝕技術的延伸，主要通過等離子體和薄膜材料的化學反應完成，適用于絕大部分的去膠工藝，是當前的主流工藝。
資料來源：公開資料，觀研天下整理
二、去膠設備是半導體設備重要的一個分支，擁有較大的發(fā)展空間
半導體去膠設備是指在半導體去膠工藝中所涉及到的設備總稱，是半導體設備重要的一個分支。半導體設備，作為高科技制造領域的關鍵一環(huán)，涵蓋了晶圓制造、封裝測試等全流程所需的各種精密儀器。這些設備不僅對芯片的性能和成本產(chǎn)生直接影響，還是推動整個半導體行業(yè)技術進步和產(chǎn)業(yè)升級的重要基石。
近年來，在下游半導體行業(yè)發(fā)展帶動下，我國半導體設備市場規(guī)模整體擴大，并在 2020 年首次成為全球最大的半導體設備市場，銷售額增長 39%，達到 187.2億美元。到2023 年中國大陸半導體設備市場規(guī)模達到 366 億美元，仍然是全球最大的半導體設備市場。而結(jié)合全球半導體設備發(fā)展趨勢、我國半導體設備國產(chǎn)替代以及下游需求旺盛的多重作用，未來幾年我國半導體設備行業(yè)仍將保持高速增長態(tài)勢，保守預計2023—2028年，我國半導體設備行業(yè)市場規(guī)模將穩(wěn)步提升，保持在15%左右的復合增長率，到2028年，我國半導體設備市場規(guī)模將達到655億美元。可見，去膠設備作為半導體設備重要的一個分支，其擁有較大的發(fā)展空間。
數(shù)據(jù)來源：公開數(shù)據(jù)，觀研天下整理
三、半導體行業(yè)發(fā)展帶動半導體去膠設備發(fā)展
半導體去膠設備與半導體產(chǎn)業(yè)的繁榮狀況緊密相連。近年隨著半導體行業(yè)發(fā)展的帶動，半導體去膠設備也隨之發(fā)展。當今數(shù)字經(jīng)濟迅速發(fā)展，半導體行業(yè)作為現(xiàn)代科技與工業(yè)領域的核心基石，對全球經(jīng)濟和社會發(fā)展具有深遠影響,吸引了越來越多的投資者的關注。在此背景下，半導體去膠設備作為半導體行業(yè)的重要一個分支，未來也有著廣闊的發(fā)展空間。
近年來，由于美國等國家對我國半導體產(chǎn)業(yè)限制持續(xù)加劇以及終端應用需求呈現(xiàn)周期性疲軟態(tài)勢，導致2022-2023年我國半導體市場規(guī)模存在不同程度的下降。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，2023年我國半導體市場規(guī)模達到1552億美元。
數(shù)據(jù)來源：公開數(shù)據(jù)，觀研天下整理
四、晶圓產(chǎn)能不斷擴充給去膠設備帶來廣闊市場需求
目前去膠設備主要應用在集成電路中的前道芯片制造領域。據(jù)了解，集成電路制造設備通?？煞譃榍暗拦に囋O備（芯片制造）和后道工藝設備（芯片封裝測試）兩大類。其中，前道芯片制造主要包括六大工藝步驟，分別為：熱處理（Thermal Process）、光刻（Photo-lithography）、刻蝕（Etch）、離子注入（Ion Implant）、薄膜沉積（Deposition）、機械拋光（CMP），所對應的專用設備主要包括快速熱處理（RTP）/氧化/擴散設備、光刻設備、刻蝕/去膠設備、離子注入設備、薄膜沉積設備、機械拋光設備等。
資料來源：公開資料，觀研天下整理
近年來隨著下游應用市場需求增加，加上各國貿(mào)易的不穩(wěn)定，全球芯片供需出現(xiàn)失衡，國內(nèi)晶圓代工企業(yè)接連宣布投資建造或規(guī)劃建設新產(chǎn)線，以擴大晶圓產(chǎn)能，從而帶動了半導體去交設備市場需求快速增長。數(shù)據(jù)顯示，截至2023年12月，我國內(nèi)地12英寸、8英寸和6英寸及以下的硅晶圓制造線共有210條。12英寸晶圓廠45座，規(guī)劃產(chǎn)能合計238萬片，8英寸晶圓廠34座，規(guī)劃產(chǎn)能合計168萬片，6英寸晶圓廠48座，規(guī)劃產(chǎn)能合計264萬片，5/4/3英寸晶圓廠63座，規(guī)劃產(chǎn)能合計730萬片。
2023年我國大陸晶圓制造產(chǎn)能分布
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廠商 |
地點 |
晶圓廠 |
工藝制程 |
尺寸 |
規(guī)劃產(chǎn)能（萬片/月） |
|
中芯國際 |
上海 |
中芯南方SN1 |
14nm FinFET |
12 |
3.5 |
|
上海 |
中芯上海S1 Fab1 |
0.35um-90nm |
8 |
13.5 |
|
|
上海 |
中芯上海S1 Fab2 |
0.35um-90nm |
8 |
— |
|
|
華虹集團 |
上海 |
華力一期Fab5 |
65nm/55nm， 40nmLogic,RF, CIS，HV， eNVM |
12 |
4 |
|
上海 |
華力二期Fab6 |
28nm/22nmLogic， RF， CIS, eNVM |
12 |
4 |
|
|
上海 |
華虹宏力Fab1 |
1.0 μm-90nm eNVM,Discrete,BCD,Logic/RF,CIS |
8 |
17 |
|
|
上海 |
華虹宏力Fab2 |
— |
8 |
17.8 |
|
|
上海 |
華虹宏力Fab3 |
— |
8 |
— |
|
|
積塔半導體 |
上海 |
Fab6 |
55nm特色工藝先導線（一階段）40/28nm汽車電子芯片生產(chǎn)線(二階段） |
12 |
5 |
|
上海 |
Fab5 |
0.35-0.11um，模擬、功率器件 |
8 |
8 |
|
|
上海 |
Fab3 |
0.5-2.5um BCD,數(shù)?；旌?/span> |
8 |
3 |
|
|
上海 |
Fab2 |
1.0-0.8um BCD, IGBT |
6 |
7 |
|
|
上海 |
Fab7 |
SiC MOSFET |
6 |
3 |
|
|
鼎泰匠芯 |
上海 |
— |
0.18/0.11umMOSFET,GBT,Logic,Analog |
12 |
3 |
|
臺積電 |
上海 |
Fab10 |
0.35-0.18μm CMOS |
8 |
12 |
|
中芯國際 |
北京 |
中芯北京B1 Fab4 |
90nm-55nm |
12 |
6.5 |
|
中芯北方B2 |
65nm-28nm |
12 |
10 |
||
|
中芯北方B3 |
65nm-28nm |
12 |
— |
||
|
中芯京城FAB3P1 |
65nm-28nm |
12 |
10 |
||
|
燕東微 |
北京 |
— |
65nm功率器件、顯示驅(qū)動、電源管理、硅光芯片 |
8 |
5 |
|
北京 |
— |
90nm 以上MOSFET、IGBT、CMOS、BCD、MEMS |
8 |
3 |
|
|
賽微電子 |
北京 |
Fab3 |
0.25um-lum MEMS BAW |
8 |
3 |
|
中芯國際 |
深圳 |
中芯深圳G2 Fab16 |
65nm-28nm |
12 |
4 |
|
深圳 |
中芯深圳G1 Fab15 |
0.35μum-0.15μum |
8 |
7 |
|
|
方正微 |
深圳 |
Fab1 |
DMOS、IGBT、SBD、FRD、BiCMOS、BCD、GaN,SiC |
6 |
5 |
|
深圳 |
Fab2 |
DMOS、IGBT、SBD、FRD、BiCMOS、BCD、GaN，SiC |
6 |
||
|
深愛半導體 |
深圳 |
— |
DMOS、MOSFET、IGBT,FTD, TVS, GaN, SiC |
6 |
4 |
資料來源：公開資料，觀研天下整理
五、當前市場呈現(xiàn)多寡頭壟斷格局，CR5達到為93.5%
當前全球集成電路制造干法去膠設備領域呈現(xiàn)多寡頭競爭的發(fā)展趨勢，行業(yè)CR5在2023年超過 90%，比思科、屹唐半導體、泰仕半導體、愛發(fā)科、泛林半導體等為主要參與者。其中屹唐半導體憑借 34.60%的市場占有率位居全球第二，確立了在干法去膠設備細分市場中國際領先的行業(yè)地位。
數(shù)據(jù)來源：公開數(shù)據(jù)，觀研天下整理
在國內(nèi)市場上，集成電路制造干法去膠設備領域同樣也呈現(xiàn)多寡頭競爭態(tài)勢，多寡頭競爭超過90%。有數(shù)據(jù)顯示，2022年在我國干法去膠設備領域，前五大廠商的市場份額合計達到93.5%。這一數(shù)據(jù)表明，當前我國干法去膠設備領域市場高度集中。目前在我國干法去膠設備領域里，主要有屹唐半導體、中屹唐半導體等。（WW）
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